Si chiama Z-NAND SZ985 ed è il prossimo SSD da 800GB di Samsung progettato per ambienti data center e per sfidare proprio in questo ambito il già velocissimo Optane DC P4800X di Intel. Il colosso sudcoreano ha annunciato recentemente le prime informazioni tecniche sul suo “bolide” a stato solido, che dovrebbe garantire prestazioni in lettura/scrittura sequenziale fino a 3,2 GB/s e 750.000 e 170.000 IOPS rispettivamente in lettura/scrittura casuale.

A colpire è soprattutto quest’ultimo dato, molto più elevato rispetto a quello di altri SSD basati su memoria NAND, anche se dovendoci basare per ora solo sulle dichiarazioni di Samsung bisognerà vedere se davvero lo Z-NAND SZ985 sarà capace di simili prestazioni.

Z-NAND SZ985

Proseguendo con altre informazioni rilasciate da Samsung, lo Z-NAND SZ985 garantisce una latenza di 12-20 µs per le letture casuali e 16 µs per scritture casuali. In questo caso si tratta di valori inferiori a quelli degli Intel Optane, ma Samsung sembra voler puntare, più che sulle prestazioni assolute, su un rapporto tra performance e prezzo più invitante rispetto a quello delle soluzioni Optane di Intel, fattore che in ambito data center non è in effetti da sottovalutare.

La resistenza è data a 30 DWPD (valore sicuramente elevato) e questo grazie anche all’utilizzo di NAND MLC in configurazione SLC, mentre non si hanno ancora dettagli precisi sul nuovo controller annunciato da Samsung e sulle prestazioni con carichi casuali misti, che in ambito data center rappresenta un aspetto critico.

Insomma, c’è ancora molto da svelare su questo prossimo SSD (non ultimo il prezzo), ma dalle prime informazioni sembra proprio che Samsung abbia realizzato una risposta agli Intel Optane molto interessante.

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